En la página 142, en el anexo, el punto 3B001.f queda redactado como sigue:
«f. Equipos de litografía según se indica:
1. Equipos de alineación y exposición, por paso y repetición (paso directo en la oblea) o por paso y exploración (explorador), para el proceso de obleas utilizando métodos fotoópticos o de rayos X y que posean cualquiera de las características siguientes:
a. Longitud de onda de la fuente luminosa inferior a 193 nm, o
b. Capacidad de producir un patrón cuyo ‘tamaño de la característica resoluble mínima’ (MRF) sea igual o inferior a 45 nm
|
Nota técnica: El ‘tamaño de la característica resoluble mínima’ (MRF) se calcula mediante la siguiente fórmula:
siendo el factor K = 0,35. |
2. Equipos de impresión litográfica que puedan producir características de 45 nm de base o menos
Nota:
El subartículo 3B001.f.2 incluye:
— Instrumentos de impresión por microcontacto
— Instrumentos de troquelado en caliente
— Instrumentos de nanoimpresión litográfica
— Instrumentos de impresión litográfica S-FIL (step and flash).
3. Equipos diseñados especialmente para la fabricación de máscaras, que reúnan todas las características siguientes:
a. Un haz de electrones, un haz de iones o un haz "láser", enfocado y desviable, y
b. Que posean cualquiera de las características siguientes:
1. Un tamaño de anchura de altura media (FWHM) del haz en el impacto (spot) inferior a 65 nm y una colocación de imagen inferior a 17 nm (media + 3 sigma), o
2. Sin uso
3. Un error de recubrimiento de la segunda capa inferior a 23 nm (media + 3 sigma) de la máscara
4. Equipos diseñados para el proceso de dispositivos, utilizando métodos de escritura directa, que reúnan todas las características siguientes:
a. Un haz de electrones enfocado y desviable, y
b. Que posean cualquiera de las características siguientes:
1. Un tamaño mínimo del haz inferior o igual a 15 nm, o
2. Un error de recubrimiento inferior a 27 nm (media + 3 sigma)».